APS6408L-3OC-BA

AP Memory
878-APS6408L-3OC-BA
APS6408L-3OC-BA

メーカ：

詳細：
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥396.8 ¥397
¥371.2 ¥3,712
¥360 ¥9,000
¥352 ¥17,600
¥344 ¥34,400
¥332.8 ¥83,200
¥328 ¥164,000
¥320 ¥320,000
¥308.8 ¥772,000

製品属性 属性値 属性の選択
AP Memory Technology
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
200 MHz
BGA-24
8 M x 8
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IoT RAM
Tray
ブランド: AP Memory
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 4800
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

APS6408L-3OC-BA DDR Octal SPI PSRAM

AP Memory APS6408L-3OC-BA Double Data Rate (DDR) Octal SPI PSRAM is designed with auto temperature-compensated self-refresh by the built-in temperature sensor and partial array self-refresh. This octal PSRAM features software reset, reset pin, and an ultra-low power half-sleep mode with data retention. The APS6408L-3OC-BA PSRAM offers a clock rate of up to 133MHz 266Mb/s read/write throughput operating within a 2.7V to 3.6V (VDD) single supply voltage range. This octal PSRAM holds 64MB in capacity and is organized in an 8M x 8-bit configuration. It utilizes a page size of 1024 bytes, and the column addresses range from AY0 to AY9, while row addresses span from AX0 to AX12.

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