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ALD210800ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210800ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210800ASCL
Price: 1892 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

585-ALD210800ASCL

メーカ番号：

ALD210800ASCL

メーカ：

Advanced Linear Devices

詳細：

MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

データシート:

ALD210800ASCL データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥1,892.4	¥1,892
	¥1,243.7	¥12,437
	¥955.2	¥95,520
	¥929.1	¥464,550

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Advanced Linear Devices
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-16
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	4 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	10.6 V
Id - 連続ドレイン電流:	80 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 12 V, 12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	20 mV
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 70 C
Pd - 電力損失:	500 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Advanced Linear Devices
構成:	Quad
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	ALD210800A
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	4 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	10 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns
単位重量:	666 mg

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選択した属性: 0

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データシート

ALD210800ASCL データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541210101
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
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