ALD210800PCL

Advanced Linear Devices
585-ALD210800PCL
ALD210800PCL

メーカ：

詳細：
MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Advanced Linear Devices
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
PDIP-16
N-Channel
4 Channel
10.6 V
80 mA
25 Ohms
- 12 V, 12 V
20 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Enhancement
Tube
ブランド: Advanced Linear Devices
構成: Quad
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: ALD210800P
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 4 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 10 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
単位重量: 1.025 g
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
8541210101
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
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