AS4C128M32MD2A-18BIN

Alliance Memory
913-4C12832MD2A18BIN
AS4C128M32MD2A-18BIN

メーカ:

詳細:
DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,921.6 ¥2,922
¥2,710.4 ¥27,104
¥2,625.6 ¥65,640
¥2,561.6 ¥128,080
¥2,449.6 ¥244,960
¥2,387.2 ¥408,211
¥2,350.4 ¥1,205,755

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR2
4 Gbit
32 bit
533 MHz
FBGA-134
128 M x 32
18 ns
1.14 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C128M32MD2A-18
Tray
ブランド: Alliance Memory
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 171
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 130 mA
単位重量: 36.420 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.

低消費電力DDR2 SDRAM

アライアンス・メモリ低消費電力DDR2 SDRAMは、高速CMOSおよび動的アクセス・メモリで、8バンク・メモリ・デバイスとして内部設定されています。これらのDDR2 SDRAMは、4ビット取得済DDRアーキテクチャ、プログラマブル読取・書込待ち時間、自動温度補償セルフ更新(TCSR)、クロック・ストップ機能が特徴です。DDR2 SDRAMによって、コマンド/アドレス(CA)バスにダブル・データ・レート・アーキテクチャを採用することで、システム内の入力ピンの数を削減されています。このCAバスは、アドレス、コマンド、バンク情報の送信に使用されます。これらのDDR2 SDRAMは、DQ(双方向/差動データ・バス・ピン)でダブル・データ・レート・アーキテクチャを採用することで、高速動作を達成しています。