AS4C32M8SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C32M8SA7TCN
AS4C32M8SA-7TCN

メーカ：

詳細：
DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 9,935

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥764.8 ¥765
¥728 ¥7,280
¥577.6 ¥62,381
¥569.6 ¥123,034
¥568 ¥306,720
¥563.2 ¥1,459,814

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
8 bit
143 MHz
TSOP-II-54
32 M x 8
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C32M8SA
Tray
ブランド: Alliance Memory
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 108
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 55 mA
単位重量: 2.171 g
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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