AS4C8M16MSA-6BIN

Alliance Memory
913-AS4C8M16MSA-6BIN
AS4C8M16MSA-6BIN

メーカ：

詳細：
DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 182

在庫：
182 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,423 ¥1,423
¥1,325.2 ¥13,252
¥1,284.4 ¥32,110
¥1,253.5 ¥62,675
¥1,224.1 ¥122,410
¥1,173.6 ¥293,400
¥1,142.6 ¥571,300
¥1,113.3 ¥1,065,428

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile
128 Mbit
16 bit
166 MHz
FBGA-54
8 M x 16
5.5 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C8M16MSA-6
Tray
ブランド: Alliance Memory
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 319
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 50 mA
単位重量: 3.188 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
台湾
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。