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HMC8410LP2FE

Name: Analog Devices Inc. HMC8410LP2FE
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC8410LP2FE
Price: 10816 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

584-HMC8410LP2FE

メーカ番号：

HMC8410LP2FE

メーカ：

Analog Devices

詳細：

RF 増幅器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai

データシート:

HMC8410LP2FE データシート

ECADモデル:

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メーカ部品番号:

HMC8410LP2FETR

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

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メーカ：

Analog Devices

メーカ番号：

HMC8410LP2FETR

詳細：

RF 増幅器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Analog Devices Inc.
製品カテゴリー:	RF 増幅器
RoHS:
動作周波数:	10 MHz to 10 GHz
動作供給電圧:	5 V
動作供給電流:	65 mA
ゲイン:	19.5 dB
NF - 雑音指数:	1.1 dB
タイプ:	Low Noise Amplifiers
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	LFCSP-6
技術:	GaAs
P1dB - 圧縮ポイント:	21 dBm
OIP3 - 3次インターセプト:	33 dBm
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	HMC8410
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Analog Devices
入力リターン損失:	6 dB
水分感度:	Yes
チャンネル数:	1 Channel
Pd - 電力損失:	1.3 W
製品タイプ:	RF Amplifier
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Wireless & RF Integrated Circuits
テスト周波数:	10 MHz to 3 GHz
単位重量:	1.461 g

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データシート

HMC8410LP2FE データシート

PCN

Product Change Notification (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

HMC84xx広帯域低ノイズアンプ

Analog Devices HMC84xx製品ファミリは、ガリウム砒素（GaAs）、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ（HEMT）、モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）、広い帯域幅の低ノイズアンプ（LNA）が特徴です。帯域幅の範囲には、0.01～10GHzおよびDC～28GHzが含まれます。HMC84xxアンプには、高ゲイン、低ノイズ値、高出力3次インターセプト（IP3）が備わっています。デバイスの最大22.5dBmの飽和出力電力（PSAT）によって、HMC84xx LNAは局部発振器（LO）ドライバとして機能できます。50Ωまでに内部整合された入力/出力（I/O）が備わったHMC84xxアンプは、表面実装技術（SMT）ベースの大容量マイクロ波無線アプリケーションによく適しています。これらのアプリケーションの一部には、計測機器、軍用レシーバ、光ファイバ、テレコムインフラストラクチャが含まれています。
詳細

RFおよびマイクロ波ソリューション

Analog Devicesは、完全高速およびRFシグナルチェーンをカバーするコンポーネントを提供します。このポートフォリオは、増え続けるDCから>100GHzおよびそれ以上の周波数範囲全体でのテストと所有権のクラス最高の性能および低コストを誇る、プラットフォーム電子テストおよび測定システムの開発を可能にします。データコンバータ、RF、マイクロ波ICの傑出したサプライヤーとして、Analog Devicesは、全周波数スペクトルにわたって2,000以上の高性能製品を実現しています。