EPC2012C

EPC
65-EPC2012C
EPC2012C

メーカ:

詳細:
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

ライフサイクル:
Mouser 初
ECADモデル:
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工場リードタイム:
18
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥647.1 ¥647
¥425.4 ¥4,254
¥298.3 ¥29,830
¥244.5 ¥122,250
完全リール(2500の倍数で注文)
¥205.4 ¥513,500
¥198.9 ¥994,500
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
EPC
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
200 V
5 A
100 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
ブランド: EPC
構成: Single
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: Power Transistor
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 2.800 mg
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。