ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IX4352NETR

Name: IXYS IX4352NETR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-IX4352NETR
Price: 692 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IX4352NETR

メーカ番号：

IX4352NETR

メーカ：

IXYS Integrated Circuits

詳細：

ゲートドライバ 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

IX4352NETR データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS Integrated Circuits IX4352NETRの詳細を読む

在庫: 1,997

在庫：: 1,997 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 8 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（2000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥692.8	¥693
	¥459.2	¥4,592
	¥422.4	¥10,560
	¥363.2	¥36,320
	¥344	¥86,000
	¥308.8	¥154,400
	¥289.6	¥289,600
完全リール（2000の倍数で注文）
	¥244.8	¥489,600
	¥238.4	¥953,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-16
ドライバ数:	6 Driver
出力数:	3 Output
出力電流:	9 A
供給電圧 - 最小:	13 V
供給電圧 - 最大:	25 V
構成:	Non-Inverting
上昇時間:	10 ns
下降時間:	10 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	IX4352NE
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	IXYS Integrated Circuits
入力電圧－最大:	5.5 V
入力電圧－最小:	0 V
論理タイプ:	CMOS, TTL
最長電源切断遅延時間:	125 ns
最長電源投入遅延時間:	125 ns
動作供給電流:	19 mA
製品タイプ:	Gate Drivers
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	SiC

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IX4352NETR データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

IX4352NE 9AローサイドSiC MOSFETとIGBTドライバ

IXYS IX4352NE 9A ローサイドSiC MOSFETおよびIGBTゲートドライバは、SiC MOSFETおよび高出力IGBTを駆動するように設計されており、9Aのソース出力とシンク出力を個別に備えているため、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオンおよびターンオフのタイミングを調整することができます。内部の負電荷レギュレータは、ユーザーが選択可能な負ゲートドライブバイアスを提供し、dV/dt耐性を向上させ、ターンオフを高速化します。脱飽和検出回路はSiC MOSFETの過電流状態を感知し、ソフトターンオフを開始することで、潜在的に有害なdV/dtイベントを防止します。IN非反転ロジック入力はTTLおよびCMOSと互換性があり、内部レベルシフターは、負のゲートドライブバイアス電圧に対応するために必要なバイアスを提供します。保護機能には、低電圧ロックアウト（UVLO）検出およびサーマルシャットダウンも含まれます。オープンドレインのFAULT出力は、マイクロコントローラにフォルト状態を通知します。XYS IX4352NEモジュールは、熱特性が強化された16ピンの狭SOICパッケージで提供されています。