IXFA4N100Q

IXYS
747-IXFA4N100Q
IXFA4N100Q

メーカ：

詳細：
MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 360

在庫：
360 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
27 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,561.5 ¥1,562
¥1,139.4 ¥11,394
¥1,028.5 ¥102,850
¥997.6 ¥997,600

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
4 A
3 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
HyperFET
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
下降時間: 18 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15 ns
シリーズ: IXFA4N100
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
単位重量: 4 g
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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