IXFH150N17T2

Name: IXYS IXFH150N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH150N17T2
Price: 1657 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH150N17T2

メーカ番号：

IXFH150N17T2

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 175V 150A

データシート:

IXFH150N17T2 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	175 V
Id - 連続ドレイン電流:	150 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	12 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	233 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	880 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	165 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
シリーズ:	IXFH150N17
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	32 ns
単位重量:	6 g

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