IXFH30N60X

IXYS
747-IXFH30N60X
IXFH30N60X

メーカ：

詳細：
MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

データシート:
ECADモデル:
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数量 ユニット価格
合計 額
¥931.2 ¥279,360
¥830.4 ¥423,504
¥774.4 ¥789,888

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
155 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 33 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 43 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 58 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 21 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

オフボードチャージャー・サブユニットパワーコンバータ

Littelfuseオフボードチャージャー・サブユニットパワーコンバータは、30分以内で80% SOCまで充電できるDC充電ステーションに必要になります。これらの高速充電アプリケーションには、モジュラー電源コンバータが必要です。このコンバータを並列接続すると異なる電力レベルに対応できるようになるため、高速充電が実現します。もっとも重要なパラメータは、エネルギー密度とシステム効率です。DC充電ステーションに実装されているサブユニットパワーコンバータは、充電ステーション内に集積されたAC/DC電力段およびDC/DC電力段で構成されています。

オフハイウェイ車両電気自動車ソリューション -

Littelfuse は、 オフハイウェイ電気自動車を対象とした広範なソリューションを提供しています。これらの電気自動車は、同様のアーキテクチャを共有しており、48V～ 400Vの電力範囲を備えています。オフロード電気自動車には、電気フォークリフト、ゴルフカート、三輪車、牽引車、圧縮機、掘削機があります。

850VウルトラジャンクションX-Class HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V Ultra Junction X-Class HiPerFET™ MOSFETは、エンハンスメントモードのアバランシェ定格高速真性ダイオードです。これらのMOSFETは、高電力密度および低RDS（ON）および低QGが備わった低パッケージインダクタンスを用いて設計されています。X-class MOSFETは、国際規格パッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、スイッチモードと共振モード電源、ロボット工学とサーボ制御、その他類似のアプリケーションがあります。
詳細

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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