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IXFN110N85X

Name: IXYS IXFN110N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N85X
Price: 11628 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFN110N85X

メーカ番号：

IXFN110N85X

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

データシート:

IXFN110N85X データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	850 V
Id - 連続ドレイン電流:	110 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	33 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.17 kW
シリーズ:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	11 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	25 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
標準電源切断遅延時間:	144 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	50 ns
単位重量:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

850V X-Class Power MOSFETs

IXYS 850V X-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ body diodes are rugged devices with current ratings up to 110A, which enables a very high power density in high voltage power conversion applications. These 850V devices have very low on-state resistances (33mΩ in the SOT-227 package), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

ウルトラジャンクションMOSFET

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詳細

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

オフハイウェイ車両電気自動車ソリューション -

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