IXFN210N20P

Name: IXYS IXFN210N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N20P
Price: 7396 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFN210N20P

メーカ番号：

IXFN210N20P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 188 Amps 200V 0.0105 Rds

データシート:

IXFN210N20P データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,706

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	188 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1.07 kW
シリーズ:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFET Modules
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
単位重量:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.