IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 7347 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFN210N30P3

メーカ番号：

IXFN210N30P3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

データシート:

IXFN210N30P3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	300 V
Id - 連続ドレイン電流:	192 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	14.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 kW
シリーズ:	IXFN210N30
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	13 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	25 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
標準電源切断遅延時間:	94 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	46 ns
単位重量:	30 g

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IXFN210N30P3 データシート

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IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.