IXFN44N80P

Name: IXYS IXFN44N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN44N80P
Price: 5328 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFN44N80P

メーカ番号：

IXFN44N80P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 36 Amps 800V

データシート:

IXFN44N80P データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
シリーズ:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	27 ns
高さ:	12.22 mm
Id - 連続ドレイン電流:	39 A
長さ:	38.23 mm
最高動作温度:	+ 150 C
最低動作温度:	- 55 C
チャンネル数:	1 Channel
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
Pd - 電力損失:	694 W
製品タイプ:	MOSFET Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	190 mOhms
上昇時間:	22 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
技術:	Si
トレードネーム:	HiPerFET
トランジスタ極性:	N-Channel
タイプ:	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	75 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
幅:	25.42 mm
単位重量:	30 g

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選択した属性: 0

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データシート

IXFN44N80P データシート

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.