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IXFN52N100X

Name: IXYS IXFN52N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN52N100X
Price: 8344 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

747-IXFN52N100X

メーカ番号：

IXFN52N100X

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

データシート:

IXFN52N100X データシート

ECADモデル:

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	¥8,344	¥8,344
	¥6,393.6	¥63,936
	¥6,124.8	¥612,480
500	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	44 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	125 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	830 W
シリーズ:	X-Class
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	13 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
標準電源切断遅延時間:	107 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	34 ns
単位重量:	30 g

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

ウルトラジャンクションMOSFET

IXYSウルトラジャンクションMOSFETは、低R_DS(on)と低Q_g が特徴で、低インダクタンス業界標準パッケージに納められています。これらのデバイスを使用すると、高電力密度、簡単な取付、省スペースの機会が生まれます。ウルトラジャンクションMOSFETは、SMPS、DC-DCコンバータ、PFC回路、ACおよびDCモータドライブ、ロボティクス/サーボ制御に最適なソリューションです。

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Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

電気自動車充電ソリューション

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。極端な暑さや寒さ、雨、雪、落雷といった苛酷な環境で動作するオフボードEV充電ステーションです。Littelfuseの製品は、これらの危険から保護し故障のリスクを最小限に抑えます。

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

850VウルトラジャンクションX-Class HiPerFET™ MOSFET

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