IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 9531 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFN56N90P

メーカ番号：

IXFN56N90P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール PolarHV HiPerFETs 900V 56A

データシート:

IXFN56N90P データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	900 V
Id - 連続ドレイン電流:	56 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	135 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6.5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 kW
シリーズ:	IXFN56N90
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	38 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	80 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
標準電源切断遅延時間:	93 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	74 ns
単位重量:	30 g

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TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

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