IXFN60N80P

IXYS
747-IXFN60N80P
IXFN60N80P

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール DIODE Id54 BVdass800

データシート:
ECADモデル:
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¥5,944 ¥59,440
¥5,366.4 ¥536,640
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製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
800 V
53 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
1.04 mW
IXFN60N80
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
下降時間: 26 ns
高さ: 9.6 mm
長さ: 38.23 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 29 ns
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: HiPerFET
タイプ: HiperFET
標準電源切断遅延時間: 110 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 36 ns
幅: 25.42 mm
単位重量: 30 g
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8504901900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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