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IXFN62N80Q3

Name: IXYS IXFN62N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN62N80Q3
Price: 12983 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

747-IXFN62N80Q3

メーカ番号：

IXFN62N80Q3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

データシート:

IXFN62N80Q3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 192

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数量	ユニット価格	合計額
	¥12,983	¥12,983
	¥11,035.1	¥110,351
	¥9,437.7	¥943,770

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	49 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	140 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	960 W
シリーズ:	IXFN62N80
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	300 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
単位重量:	30 g

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選択した属性: 0

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データシート

IXFN62N80Q3 データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

商用・軍関連UAVシステム

Littelfuse 商用および軍関連UAVシステムは、リチウムイオン電池保護、バッテリチャージャ、配電用のソリューションです。これらのシステムは、入力保護/過電圧保護、半導体スイッチング向けMOSFET、DC出力過渡/サージ保護保護向けTVSダイオード用のヒューズを提供します。商用・軍関連UAVシステムは、>60のバッテリ保護、およびメインパックの地絡障害検出、バッテリ切断/電源経路制御（プリチャージ対応）、分岐回路の過電流保護を備えています。代表的なアプリケーションは、ISR（情報収集・監視・偵察）、軍事、国境監視、農業、配送/物流、点検、公共安全などです。

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

Littelfuse 燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステムは、電力変換およびDCバス、配電、チャージャ/地上電源用のソリューションです。これらのシステムは、ACライン電圧をDCに変換する整流器ダイオードを備えており、電力変換およびDCバスをサポートします。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV（無人航空機）システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格（軍関連）製品を提供します。代表的なアプリケーションは、ISR（情報収集・監視・偵察）、軍事、国境監視、農業、配送/物流、点検、公共安全などです。

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-Class HiperFET™パワーMOSFET

IXYSQ3クラスHiperFET™パワーMOSFETは、卓越したパワースイッチング性能を持つ幅広いデバイスをエンドユーザーに提供します。また、優れた熱特性、強化されたデバイスの堅牢性、高エネルギー効率も備わっています。これらのMOSFETには、200V～1,000Vのドレイン－ソース間電圧定格および10A ～100Aのドレイン電流定格が備わっています。これらの特徴により、Q3クラスは、低オン状態抵抗（R_dson）とゲート電荷（Q_g）の最適化された組み合わせとなり、デバイスの伝導損失とスイッチング損失を大幅に低減します。パワースイッチング機能とデバイスの堅牢性は、HyperFETプロセスを活用することでさらに強化されています。このプロセスによって、高速真性整流器が生成され、デバイスの整流dv/dt定格（最大50V/ns）を強化しながら低逆回復電荷(Q_rr) を実現しています。