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IXFN70N100X

Name: IXYS IXFN70N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN70N100X
Price: 10320 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

747-IXFN70N100X

メーカ番号：

IXFN70N100X

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET

データシート:

IXFN70N100X データシート

ECADモデル:

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	¥10,320	¥10,320
	¥7,920	¥79,200
	¥7,790.4	¥779,040
2,500	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	65 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	89 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.2 kW
シリーズ:	X-Class
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	20 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
標準電源切断遅延時間:	127 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	48 ns
単位重量:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

ウルトラジャンクションMOSFET

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