IXFP26N50P3

Name: IXYS IXFP26N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP26N50P3
Price: 1468 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFP26N50P3

メーカ番号：

IXFP26N50P3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

データシート:

IXFP26N50P3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	500 V
Id - 連続ドレイン電流:	26 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	240 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	42 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	500 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	IXFP26N50
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	2 g

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