IXFX120N30P3

Name: IXYS IXFX120N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX120N30P3
Price: 2862 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFX120N30P3

メーカ番号：

IXFX120N30P3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

データシート:

IXFX120N30P3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	300 V
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	150 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.13 kW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	54 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	13 ns
シリーズ:	IXFX120N30
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	60 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	26 ns
単位重量:	6 g

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