IXTA6N100D2

IXYS
747-IXTA6N100D2
IXTA6N100D2

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

データシート:
ECADモデル:
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メーカ 部品番号:
IXTA6N100D2-TRL
梱包:
Reel, Cut Tape
在庫状況:
在庫
価格:
¥1,766
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263AA-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
6 A
2.2 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Depletion
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 47 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 2.6 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 80 ns
シリーズ: IXTA6N100
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 34 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
単位重量: 1.600 g
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選択した属性: 0

データシート

Models

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

D2シリーズNチャンネル空乏モードパワーMOSFET

IXYS D2シリーズ100V-1700V Nチャンネル空乏モードパワーMOSFETは、「通常ON」モードで動作する空乏モードデバイスで、ゲート端子でゼロ電源ON電圧が必要です。このシリーズは、最高1700Vまでの阻止電圧とドレイン-ソース間抵抗を実現しており、連続的に「ON」になる（緊急または盗難警報器などの）システムでの簡素化された制御と電力散逸の低減を実現できます。

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