IXTN8N150L

Name: IXYS IXTN8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN8N150L
Price: 7881 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXTN8N150L

メーカ番号：

IXTN8N150L

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 8 Amps 1500V

データシート:

IXTN8N150L データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXTN8N150Lの詳細を読む

在庫: 253

在庫：: 253 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 26 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥7,881.6	¥7,882
	¥6,563.2	¥65,632
	¥6,275.2	¥627,520
5,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.5 kV
Id - 連続ドレイン電流:	7.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.6 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	545 W
シリーズ:	IXTN8N150
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	95 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Linear Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	90 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	100 V
単位重量:	30 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXTN8N150L データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.