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F48MXTR12C2M2QH11BPSA1

Name: Infineon F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F48MXTR12C2M2QH1
Price: 36840 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-F48MXTR12C2M2QH1

メーカ番号：

F48MXTR12C2M2QH11BPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFETモジュール EASY

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 データシート (PDF)

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108	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Press Fit
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	16.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	20 mW
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
下降時間:	23.7 ns
高さ:	12 mm
If - 順電流（Forward Current）:	55 A
長さ:	57.1 mm
製品:	MOSFET Module
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	23 ns
工場パックの数量:	18
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	MOSFET
標準電源切断遅延時間:	46.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	47 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	4.35 V
幅:	48.1 mm

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データシート

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JPHTS:: 854121000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド（SiC）MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路（NTC）およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFETモジュール

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ トレンチ MOSFET モジュールは、PressFIT コンタクト技術を採用し、負温度係数（NTC）温度センサを内蔵しています。これらのモジュールは、1200Vのドレイン・ソース間電圧で動作し、低インダクタンス設計、低いスイッチング損失、高い電流密度といった特徴を備えています。 EasyPACK™ モジュールは、内蔵の取り付けクランプにより堅牢な取り付けが可能で、CTI >600 のパッケージに収められています。代表的なアプリケーションには、高周波スイッチングデバイス、DC/DCコンバータ、EV向けDC充電器などがあります。