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FP50R12N2T7PBPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PBPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PBPSA
Price: 11979 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-FP50R12N2T7PBPSA

メーカ番号：

FP50R12N2T7PBPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT モジュール 1200 V, 50 A PIM IGBT module

データシート:

FP50R12N2T7PBPSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT モジュール
製品:	IGBT Silicon Modules
構成:	3-Phase Inverter
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.5 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
取り付け様式:	Through Hole
製品タイプ:	IGBT Modules
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	IGBTs
技術:	Si
別の部品番号:	FP50R12N2T7P SP005407056

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データシート

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1,200V PIM IGBTモジュール

Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールには、最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいたTRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術が搭載されています。この技術によって損失が大幅に低減し、高レベルの制御性が実現しています。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールで最大175°Cまで許容最高動作温度を上昇させることによって、電力密度を大幅に増大させることができます。