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FP50R12W2T7BPSA1

Name: Infineon FP50R12W2T7BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12W2T7BPSA1
Price: 8243 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-FP50R12W2T7BPSA1

メーカ番号：

FP50R12W2T7BPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT モジュール 1200 V, 50 A PIM IGBT module

データシート:

FP50R12W2T7BPSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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510	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT モジュール
製品:	IGBT Silicon Modules
構成:	3-Phase Inverter
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.5 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
取り付け様式:	Through Hole
製品タイプ:	IGBT Modules
シリーズ:	Trenchstop IGBT7
工場パックの数量:	15
サブカテゴリ:	IGBTs
技術:	Si
トレードネーム:	EasyPIM
別の部品番号:	FP50R12W2T7 SP005428928

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1,200V PIM IGBTモジュール

Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールには、最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいたTRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術が搭載されています。この技術によって損失が大幅に低減し、高レベルの制御性が実現しています。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールで最大175°Cまで許容最高動作温度を上昇させることによって、電力密度を大幅に増大させることができます。

TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュール

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュールは、可変速度ドライブ用に設計されています。すべての産業用ドライブの半数に電気速度制御を実装できれば、エネルギーを最大20％、もしくはCO₂ を1,700万トン削減できると考えられています。Infineonは、TRENCHSTOP IGBT7技術を活用してこの動きを促進しています。

EasyPIM™ IGBTモジュール

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBTモジュールは、3相入力整流器PIM IGBTモジュールで、TRENCHSTOP™ IGBT7、エミッタ制御7ダイオード、NTC/PressFit技術が採用されています。このモジュールは、dv/dtの制御性の強化、FWDの柔らかさの向上、スイッチング損失の最適化、8µsの短絡堅牢性が特徴です。EasyPIM（パワー統合モジュール）は、非常に小さなサイズで、さらなる高電力の実現に役立ちます。このモジュールは、エネルギー効率要件を満たすようにシステムコストと損失を削減します。一般的なアプリケーションには、補助インバータ、エアコン、サーボモータ、過熱、換気、空調（HVAC）があります。