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FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Name: Infineon FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS17MR12W2M1HB11
Price: 22667 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

726-FS17MR12W2M1HB11

メーカ番号：

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFETモジュール EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

ライフサイクル:

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データシート:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Press Fit
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.15 V
Pd - 電力損失:	20 mW
シリーズ:	EasyPACK 2B
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Hex
下降時間:	12 ns
高さ:	1.4 mm
If - 順電流（Forward Current）:	16 A
長さ:	56.7 mm
製品:	MOSFET Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	29 ns
工場パックの数量:	15
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	CoolSiC
標準電源切断遅延時間:	39 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	32 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	4.2 V
幅:	48 mm
別の部品番号:	FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141

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ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1Hモジュール

インフィニオン (Infineon) 1200V CoolSiC™ M1H モジュールは、EV充電およびその他のインバータ設計者に対し、これまでにない効率と電力密度のレベルを達成する機会を提供します。

1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド（SiC）MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路（NTC）およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。