FS50R12N2T7B15BPSA2

Infineon Technologies
726-FS50R12N2T7B15B2
FS50R12N2T7B15BPSA2

メーカ：

詳細：
IGBT モジュール 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT モジュール
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.5 V
50 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
ブランド: Infineon Technologies
製品タイプ: IGBT Modules
工場パックの数量: 15
サブカテゴリ: IGBTs
技術: Si
別の部品番号: FS50R12N2T7_B15 SP005612508
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データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
ハンガリー
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1,200V 6パックIGBTモジュール

Infineon 1200V 6パックIGBTモジュールは、TRENCHSTOP ™ IGBT7、Emitter Controlled 7 ダイオード、NTC技術を搭載したEasyPACK™1B 6パックIGBTモジュールです。この技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供します。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1200V 6パックIGBTモジュールで最大許容動作温度を175°Cまで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。

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