IGLT65R110D2ATMA1

Infineon Technologies
726-IGLT65R110D2ATMA
IGLT65R110D2ATMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET HV GAN DISCRETES

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Infineon Technologies IGLT65R110D2ATMA1の詳細を読む

在庫: 1,621

在庫：
1,621 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
3 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥715.6 ¥716
¥477.6 ¥4,776
¥366.8 ¥36,680
¥326 ¥163,000
¥280.4 ¥280,400
完全リール（1800の倍数で注文）
¥269 ¥484,200
¥262.4 ¥944,640

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
15 A
140 mOhms
- 10 V
1.6 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Power Transistors
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 1800
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: GaN Transistor
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ

インフィニオン (Infineon)  の CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、最大 650V の電圧範囲での電力変換に対応する、高効率 GaN（窒化ガリウム）トランジスタ技術を採用しています。インフィニオン (Infineon) の GaN 技術は、エンハンスメントモード（e‑mode）コンセプトを、大量のエンドツーエンド生産によって成熟させています。この先進的な品質により、最高水準の基準が確保され、最も信頼性の高い性能が提供されます。エンハンスメントモードの CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、超高速スイッチングによりシステム効率と電力密度を向上させます。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。