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IPP016N08NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP016N08NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP016N08NF2SAKM
Price: 720 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPP016N08NF2SAKM

メーカ番号：

IPP016N08NF2SAKMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET IFX FET > 60-80V

データシート:

IPP016N08NF2SAKMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥371.2	¥3,712
	¥337.6	¥33,760
	¥302.4	¥151,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	196 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.8 V
Qg - ゲート電荷:	170 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
別の部品番号:	IPP016N08NF2S SP005548844

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データシート

IPP016N08NF2SAKMA1 データシート (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET（汎用アプリケーション向け）

Infineon Technologies MOSFETは汎用アプリケーションを対象としており、シンプルで価格競争力があるソリューションで、可用性が広く確かな品質です。このポートフォリオは、最高100Vまでの電圧クラスをカバーしています。また、シングルおよびデュアルNチャンネルMOSFET、およびさらに低い電力を取り扱うこと（シングルおよびデュアルNチャンネルとPチャンネルMOSFET）を目的とした製品があります。選択したパーツには、SOT-23、PQFN 2x2、PQFN 3x3、DPAK、SO-8、SuperSO8 5x6、TO220をはじめとする広範なパッケージがあります。これらの製品は、アダプタ、充電器、バッテリ駆動アプリケーション、モーター制御と駆動、バッテリマネジメントシステム、インバータ、コンピューティング、モバイルアプリケーションのような広範な汎用アプリケーションに対処できます。

StrongIRFET™ 2パワーMOSFET

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2パワーMOSFETは、Nチャンネル、通常レベル、100%アバランシェ試験済のパワートランジスタMOSFETです。Infineon StrongIRFET 2 MOSFETは、広範なアプリケーション向けに最適化されています。このMOSFETは、V_DS の範囲が80V〜100V、R_DS（on）の範囲が2.4mΩ〜8.2mΩです。