IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFP4229PBFXKMA1
IRFP4229PBFXKMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IR FET >60-400V

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥696 ¥696
¥396.8 ¥3,968
¥324.8 ¥32,480
¥297.6 ¥119,040
¥278.4 ¥334,080

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
250 V
44 A
46 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
72 nC
- 40 C
+ 175 C
310 W
Enhancement
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 83 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 27 ns
工場パックの数量: 400
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 44 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
別の部品番号: IRFP4229PBFXKMA1 SP005732690
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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