ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IM2G16D2DBBG-25I

Name: Intelligent Memory IM2G16D2DBBG-25I
Brand: Intelligent Memory
SKU: 822-IM2G16D2DBBG-25I
Price: 4992 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

822-IM2G16D2DBBG-25I

メーカ番号：

IM2G16D2DBBG-25I

メーカ：

Intelligent Memory

詳細：

DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84

データシート:

IM2G16D2DBBG-25I データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Intelligent Memory IM2G16D2DBBG-25Iの詳細を読む

在庫: 308

在庫：: 308 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 26 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥4,992.7	¥4,993
	¥4,619.4	¥46,194
	¥4,472.7	¥111,818
	¥4,361.9	¥218,095
	¥4,138.6	¥413,860
	¥4,136.9	¥864,612

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Intelligent Memory
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR2
メモリサイズ:	2 Gbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	400 MHz
パッケージ/ケース:	FBGA-84
編成:	128 M x 16
アクセス時間:	400 ps
供給電圧 - 最小:	1.7 V
供給電圧 - 最大:	1.9 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 95 C
シリーズ:	IM2G16D2
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Intelligent Memory
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	209
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	58 mA
単位重量:	194 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IM2G16D2DBBG-25I データシート

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Double Data Rate 2 (DDR2) SDRAM

Intelligent Memory Double Data Rate (DDR2) Synchronous DRAM (SDRAM) are eight-bank devices that achieve high-speed data transfer rates. Interleaving the eight memory banks allows random access operations faster than standard DRAMs. A chip architecture prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. All control, address, and circuits are synchronized with the positive edge of an externally supplied clock. In a source-synchronous manner, I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes. A sequential, gapless data rate is possible depending on the device's burst length, CAS latency, and speed grade.