PXAE263708NB-V1-R2

MACOM
941-PXAE263708NBV1R2
PXAE263708NB-V1-R2

メーカ：

詳細：
RF MOSFETトランジスタ 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

データシート:
ECADモデル:
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パッケージング:
完全リール（250の倍数で注文）
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥19,230.7 ¥19,231
¥15,996.8 ¥159,968
¥14,785.7 ¥1,478,570
完全リール（250の倍数で注文）
¥14,785.7 ¥3,696,425
500 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS:  
N-Channel
Si
65 V
80 mOhms
2.62 GHz to 2.69 GHz
13.5 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: MACOM
チャンネル数: 1 Channel
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: MOSFETs
タイプ: RF Power MOSFET
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 6 V to + 10 V
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

5G RF JFETとLDMOS FET

MACOM 5G RF JFET (Junction Field Effect Transistors、接合型電界効果トランジスタ) およびLDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor、横方向拡散金属酸化膜半導体) FETは、次世代ワイヤレス伝送向けの熱特性が強化されたハイパワートランジスタです。これらのデバイスは、GaN on SiC高電子移動度トランジスタ (HEMT) テクノロジー、入力マッチング、高効率、熱的に強化された表面実装パッケージが特徴で、耳なしフランジが備わっています。MACOM 5G RF JFETおよびLDMOS FETは、マルチスタンダードセルラーパワーアンプ・アプリケーションに最適です。 

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