WST4050D-GP4

MACOM
937-WST4050D-GP4
WST4050D-GP4

メーカ：

詳細：
GaN FET Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C

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¥5,142.7 ¥514,270

製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: GaN FET
1 Channel
84 V
750 mA
740 mOhms
- 10 V, + 2 V
- 2 V
- 40 C
+ 85 C
ブランド: MACOM
構成: Single
ゲイン: 17 dB
最高動作周波数: 8 GHz
最小動作周波数: 0 Hz
出力電力: 15.85 W
製品: GaN FETs
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN, SiC
タイプ: GaN on SiC Transistor
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

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