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MSC017SMA120S

Name: Microchip MSC017SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120S
Price: 7620 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

579-MSC017SMA120S

メーカ番号：

MSC017SMA120S

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

MOSFETモジュール MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268

データシート:

MSC017SMA120S データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥6,718.4	¥67,184
	¥6,115.2	¥183,456
	¥6,019.2	¥722,304
510	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	TO-268-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	17.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.7 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	357 W
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
下降時間:	21 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間:	49 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	52 ns

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データシート

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSC017SMA120xシリコンカーバイドN-ChパワーMOSFET

Microchip Technology MSC017SMA120xシリコンカーバイドN-ChパワーMOSFETは、高電圧アプリケーションでの総コストを低く抑えながら、シリコンMOSFETおよびシリコンIGBTソリューションの性能を向上させます。Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETは、熱機能の改善と低スイッチング損失を強化することによって、さらに軽量でもっとコンパクトなシステムを実現できる高効率を実現しています。