MSC025SMA120S

Microchip Technology
494-MSC025SMA120S
MSC025SMA120S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
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製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D3PAK-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
89 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.8 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
ブランド: Microchip Technology
構成: Single
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
単位重量: 6.200 g
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フィリピン
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Microsemi / Microchipシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、従来のシリコン（Si）パワーMOSFETより優れたダイナミックおよび熱性能が備わっています。これらのMOSFETは、低静電容量、低ゲート電荷、高速スイッチング速度、優れたアバランシェ耐久性を備えています。SiC MOSFETは、175°Cの高接合温度で安定した動作が可能です。これらのMOSFETは、低スイッチング損失での高効率を実現しています。SiC MOSFETには、フリーホイールダイオードは一切不要で、システムコストを削減できます。代表的なアプリケーションには、スマートグリッド伝達と分配、誘導加熱と溶接、電源、さらに分配があります。

シリコンカーバイド（SiC）半導体

Microchip Technologyのシリコンカーバイド（SiC）半導体は、産業、医療、軍事/航空宇宙、航空、通信の市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を目指すパワーエレクトロニクス設計者にとって革新的な選択肢です。Microchipの次世代SiC MOSFET、およびSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されており、同社のSiC MOSFETは、約10J/cm2 ～15J/cm2 で高いUIS能力を維持し、3ms～5msで堅牢な短絡保護を実現しています。Microchip TechnologyのSiC SBDは、スイッチング損失を低減するために、低逆電流でサージ電流、順電圧、熱抵抗、および熱静電容量の定格がバランスするように設計されています。また、SiC MOSFETとSiC SBDを組み合わせてモジュール化することも可能です。

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