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MSCSM120AM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120AM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120AM31CTBL1NG
Price: 19418 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

579-SM120AM31CTBL1NG

メーカ番号：

MSCSM120AM31CTBL1NG

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

データシート:

MSCSM120AM31CTBL1NG データシート (PDF)

ECADモデル:

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥19,418.2	¥19,418
	¥19,354.6	¥193,546
	¥19,318.8	¥482,970
	¥19,214.4	¥1,921,440
500	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
製品:	MOSFET-SiC SBD Modules
タイプ:	MOSFET / SiC SBD
技術:	SiC
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
取り付け様式:	Screw Mount
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Phase Leg
下降時間:	25 ns
Id - 連続ドレイン電流:	79 A
Pd - 電力損失:	310 W
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	31 mOhms
上昇時間:	30 ns
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Discrete Semiconductor Modules
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	30 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V

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データシート

MSCSM120AM31CTBL1NG データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MSCSM120x MOSFETパワーモジュール

Microchip Technology MSCSM120x MOSFETパワーモジュールは、Si₃N₄基板が特徴の効率性の高いコンバータで、熱性能の向上を目的とした厚い銅が備わっています。これらのモジュールは薄型で、ヒートシンクへの直接取付（絶縁パッケージ）、温度監視用の内部サーミスタ、拡張温度範囲に対応します。MSCSM120xモジュールは、1.2kV逆方向電圧（V_R）、-10V～25Vゲート-ソース間電圧範囲（V_GS）、310W/560W電力散逸（P_D）、79A/150A連続ドレイン電流（I_D）で動作します。これらのモジュールは、信頼性の高い電力システム、高効率AC/DCおよびDC/ACコンバータ、モーター制御、ACスイッチといったアプリケーションに使用します。