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MSCSM120HM063CAG

Name: Microchip MSCSM120HM063CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM063CAG
Price: 126062 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

579-MSCSM120HM063CAG

メーカ番号：

MSCSM120HM063CAG

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

データシート:

MSCSM120HM063CAG データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
製品:	MOSFET-SiC SBD Modules
タイプ:	Full Bridge
技術:	SiC
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
取り付け様式:	Screw Mount
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
ブランド:	Microchip Technology
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Discrete Semiconductor Modules

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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Microsemi / Microchip AgileSwitch®Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFETパワーモジュールは、SiC MOSFETとSiCダイオードで構成され、両デバイスの利点を兼ね備えています。これらのパワーモジュールは、極めて低いインダクタンスSP6LIパッケージが特徴で、最大浮遊インダクタンスは3nHです。これらのSP6LIパワーモジュールは、1200Vおよび1700Vで販売されており、+80°Cのケース温度(T_C)が備わっています。より高い電力密度とコンパクトなフォームファクタが備わっているSP6LIパッケージによって、より少ない数のモジュールを並列に使用して完全なシステムを達成できるため、設計者は機器をさらに小型化できます。