MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

249-85S4MLYPNGAWERE1
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

メーカ：

詳細：
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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完全リール（1500の倍数で注文）
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製品属性 属性値 属性の選択
RAMXEED
製品カテゴリー: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
DFN-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
ブランド: RAMXEED
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
動作供給電圧: 1.8 V
製品タイプ: FRAM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

データシート

EOL

PCN

コンプライアンスコード
USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1
原産地分類
原産国:
日本
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 1014 cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

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