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EVLSTDRIVEG212

Name: STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLSTDRIVEG212
Price: 11357 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-EVLSTDRIVEG212

メーカ番号：

EVLSTDRIVEG212

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

電源管理IC開発ツール Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	電源管理IC開発ツール
RoHS:
製品:	Evaluation Boards
タイプ:	Gate Driver
入力電圧:	12 V
ツールは次の評価用です::	STDRIVEG212
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	IT
寸法:	56 mm x 79 mm
パッケージ化:	Bulk
製品タイプ:	Power Management IC Development Tools
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Development Tools
単位重量:	100 g

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選択した属性: 0

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データシート

EVLSTDRIVEG212 データシート (PDF)

CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
TARIC:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

EVLSTDRIVEG212評価ボード

STマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）EVLSTDRIVEG212評価ボードは、使いやすいだけでなく、2.2mΩ（代表値）、100V emode GaNスイッチをハーフブリッジ構成で駆動するSTDRIVEG212の特性を素早く評価するのに適しています。STDRIVEG212は、強化モードGaN HEMTを駆動する5V向けに最適化されている220V高速ハーフブリッジゲートドライバです。分離された大電流シンク/ソースゲート駆動ピン、集積されたLDO、低電圧、ブートストラップダイオード、ハイサイド高速起動、過熱、障害/シャットダウンピン、およびスタンバイを備え、4mmx5mmQFNパッケージでハード・スイッチング・トポロジーを完全にサポートします。EVLSTDRIVEG212ボードは、STDRIVEG612の機能評価にも適しています。