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SCT018H65G3-7

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3-7
Price: 1421 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-SCT018H65G3-7

メーカ番号：

SCT018H65G3-7

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	55 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	-10 V, 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	79.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	385 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	25 ns
パッケージ化:	Reel
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	28 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	56 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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