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SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 3132 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT018W65G3-4AG

メーカ番号：

SCT018W65G3-4AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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データシート:

SCT018W65G3-4AG データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥3,132.9	¥3,133
	¥2,308.1	¥23,081
	¥1,765.3	¥176,530
	¥1,533.8	¥920,280

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	HiP-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	55 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	77 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 200 C
Pd - 電力損失:	398 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	29 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	13 ns
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	64 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24.5 ns

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SCTWA90N65G2Vx 650VパワーMOSFET

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650VパワーMOSFETは、標準18mΩおよび定格119Aのシリコンカーバイド（SiC）MOSFETです。これらのパワーMOSFETは、HiP247およびHiP247-4パッケージに収められています。SCTWA90N65G2Vx 650VパワーMOSFETは、極めて低いゲート電荷と入力静電容量、高速スイッチング性能、効率性の向上を目的としたソースセンシングピンが特徴です。これらのMOSFETは、STの高度で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を使用して開発されました。アプリケーションには、再生可能エネルギーシステムの電源、高周波DC/DCコンバータ、充電ステーション、スイッチングモード電源、DC/DCコンバータ、産業モーター制御があります。

650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（R_DS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。

SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET

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