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SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 2163 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-SCT027HU65G3AG

メーカ番号：

SCT027HU65G3AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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	¥1,614.4	¥16,144
	¥1,396.8	¥139,680
完全リール（600の倍数で注文）
	¥1,235.2	¥741,120

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
認証:	AEC-Q100
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	JP
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors

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PCN

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JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET

STMicroelectronics SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFETは、高度で革新的なワイドバンドギャップ素材を使用して製造されています。この結果、1単位面積当たり卓越したオン抵抗および温度にほとんど依存しない非常に良好な切替性能を実現します。優れたSiC材料の熱特性と独自のHiP247™パッケージにより、設計者は大幅に改善された過熱能力を備えた業界標準の外形を使用することが可能です。高効率かつ高電力密度用途向けに最適なデバイスのレンダリングが特徴です。