SCT040H65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT040H65G3AG
SCT040H65G3AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
あなたの設計を完成させましょう

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics SCT040H65G3AGの詳細を読む

在庫: 969

在庫：
969 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,811.2 ¥1,811
¥1,256 ¥12,560
¥1,060.8 ¥106,080
完全リール（1000の倍数で注文）
¥865.6 ¥865,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
40 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
39.5 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET

STMicroelectronics  SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFETは、高度で革新的なワイドバンドギャップ素材を使用して製造されています。この結果、1単位面積当たり卓越したオン抵抗および温度にほとんど依存しない非常に良好な切替性能を実現します。優れたSiC材料の熱特性と独自のHiP247™パッケージにより、設計者は大幅に改善された過熱能力を備えた業界標準の外形を使用することが可能です。高効率かつ高電力密度用途向けに最適なデバイスのレンダリングが特徴です。

650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（RDS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。

注目製品
STMICROELECTRONICS

SCTWA90N65G2Vx 650VパワーMOSFET
650V、18mΩ（標準）、119Aのシリコンカーバイド（SiC）MOSFETで、HiP247およびHiP247-4パッケージに収められています。
SCTWA90N65G2Vx 650VパワーMOSFET について の詳細を表示
車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET
STの 高度で革新的な第2/第3世代 SiC MOSFET テクノロジーを使用して開発されています。
車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET について の詳細を表示
650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET
エリア毎の非常に低いオン状態抵抗が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。
650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET について の詳細を表示
SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET
温度にほとんど影響を受けることなく、比類ないほどの単位面積当たりオン抵抗性能と切替性能を実現しています。
SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET について の詳細を表示
650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT
すべての周波数コンバーターの効率を最大限に高めるために、導通損失とスイッチング損失の最適な妥協を実現。
650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT について の詳細を表示

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。