SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT070W120G3-4AG
SCT070W120G3-4AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
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¥1,775.1 ¥17,751
¥1,393.7 ¥139,370
¥1,165.5 ¥699,300

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
30 A
87 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
41 nC
- 55 C
+ 200 C
236 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 17 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 4.8 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 23 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.5 ns
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
イタリア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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