ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

ST8L65N065DM9

Name: STMicroelectronics ST8L65N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N065DM9
Price: 938 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-ST8L65N065DM9

メーカ番号：

ST8L65N065DM9

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

あなたの設計を完成させましょう

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

ST8L65N065DM9 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics ST8L65N065DM9の詳細を読む

在庫: 199

在庫：: 199 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 20 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1 最大： 50

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥938.9	¥939
	¥751.4	¥7,514
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥751.4	¥2,254,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	44 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	78 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	223 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	MDmesh DM9
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	61 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

ST8L65N065DM9 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFETは、ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのR_DS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。本デバイスは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9テクノロジーを採用しています。本テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造を可能にしています。