ST8L65N065DM9

STMicroelectronics
511-ST8L65N065DM9
ST8L65N065DM9

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
あなたの設計を完成させましょう

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics ST8L65N065DM9の詳細を読む

在庫: 210

在庫：
210 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 50
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥921.6 ¥922
¥737.6 ¥7,376
完全リール（3000の倍数で注文）
¥737.6 ¥2,212,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
223 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 4 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 61 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 19 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

TARIC:
8541290000

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。