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STB155N3LH6

Name: STMicroelectronics STB155N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB155N3LH6
Price: 476 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STB155N3LH6

メーカ番号：

STB155N3LH6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

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データシート:

STB155N3LH6 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 159

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パッケージング:

完全リール（1000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥476.8	¥477
	¥308.8	¥3,088
	¥220.8	¥22,080
	¥185.6	¥92,800
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥155.5	¥155,500
	¥141	¥282,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	80 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	80 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	110 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q100
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	40 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	85 ns
シリーズ:	STB155N3LH6
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	100 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
単位重量:	4 g

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選択した属性: 0

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データシート

STB155N3LH6 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低R_DS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのR_DS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
詳細

AEC-Q101認定STripFETパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス AEC-Q101準拠STripFETパワーMOSFETは、ST独自のトレンチベース低電圧技術を採用し、極めて低い伝動損失を達成します。これらのパワーMOSFETは、電気駆動装置で通常失われるエネルギーを最小限に抑えることで、効率を高め、幅広い多様なアプリケーションに適合します。業界標準のTO-252、TO-263 SMDパッケージに格納され、R_DS(on)3mΩ〜12.5mΩを達成するこれらのデバイスは、大半の低電圧車載アプリケーションで優れた性能を発揮します。この製品シリーズには、標準およびロジックレベルの閾値が両方とも搭載されています。